半導體制造
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精新電源專(zhuān)注于半導體制造解決方案,例如沉積、蝕刻和離子注入工藝。借助我們的半導體制造生產(chǎn)解決方案,通過(guò)高度精確的電源、頻率調諧和多級脈沖實(shí)現先進(jìn)的等離子體工藝控制。

為了制造領(lǐng)先的集成電路 (IC),需要采用新型工藝和材料來(lái)制造晶體管或存儲單元。由于特征尺寸不斷縮小,精度達到原子級別,必須做到極致的工藝控制。

精新電源深諳半導體制造行業(yè)發(fā)展趨勢。我們是蝕刻、沉積注入和退火等關(guān)鍵工藝電源和控制解決方案的國內市場(chǎng)領(lǐng)導者。

您面臨的挑戰
  • 對于薄膜沉積來(lái)說(shuō),從用于刻印集成電路規格的薄膜,到導電和絕緣薄膜,再到金屬薄膜,您的沉積工藝需要原子級別的精密控制,同時(shí)膜層的結構、厚度、均勻性也必須達到高質(zhì)量。
  • 對于四種類(lèi)型的離子注入工藝(大電流、中電流、高能量和等離子體摻雜),能量純度、離子束角度控制和均勻性是關(guān)鍵變量。
  • 在精細化工藝流程控制的時(shí)候也必須要兼顧生產(chǎn)效率和成本,這也給半導體生產(chǎn)流程帶來(lái)了更多更大的挑戰。
我們的解決方案與優(yōu)勢
  • 精新電源提供多種輸出功率和頻率,并可實(shí)現微秒級的控制。讓您精確的控制生產(chǎn)中的每一個(gè)環(huán)節。
  • 我們提供十多種脈沖波形穩定輸出,精細的控制精度和速度,不但可滿(mǎn)足各類(lèi)PVD沉積工藝的需求,還大大提升了工藝的可重復性。
  • 得益于十數年在大型粒子加速器中沉淀出來(lái)的寶貴經(jīng)驗,精新離子注入電源可解決您在離子注入工藝中遇到的所有挑戰。
  • 功率因數校正和全行業(yè)領(lǐng)先的電源效率可以大幅降低您生產(chǎn)過(guò)程中產(chǎn)生的能源消耗成本。
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